SUP85N10-10-GE3 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаSUP85N10-10-GE3
-
ПроизводительVishay Intertechnology
-
ОписаниеVishay Intertechnology SUP85N10-10-GE3 Product Category: MOSFET RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 85 A Resistance Drain-Source RDS (on): 10.5 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220AB-3 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 250 W Factory Pack Quantity: 500
-
Количество страниц7 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
25.05.2024
24.05.2024
22.05.2024